Herstellung und Charakterisierung von kanten- und vertikalemittierenden (Ga)InAs-Ga(In)As-Quantenpunkt(laser)strukturenRoland KrebsAusverkauft4,3Bewachen
Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-OperationsverstärkersRoland KrebsAusverkauft4,3Bewachen
