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Verstärkungsgekoppelte InGaAsP-InP-DFB-Halbleiterlaserdioden basierend auf Gitterstrukturierung durch fokussierte Ionenstrahllithographie

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Verstärkungsgekoppelte InGaAsP-InP-DFB-Halbleiterlaserdioden basierend auf Gitterstrukturierung durch fokussierte Ionenstrahllithographie, Harald König

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2002
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