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Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung

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Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung, Silvia Strähle

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1996
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