Untersuchung von Aufladungseffekten bei der Ionenimplantation

Im Rahmen dieser Arbeit wurden Teststrukturen zur Bewertung von Aufladungseffekten während der Ionenimplantation basierend auf Metall-Oxid-Halbleiter- Kondensatoren mit ladungssammelnden Elektroden (Antennen) in der Polysiliciumebene entworfen und hergestellt. Es wurden Antennenverhältnisse (Verhältnis der Flächen von Antenne und Gateoxid einer Struktur) von 10 hoch 3 bis 10 hoch 5 und verschiedenen Antennenformen (rechteckige Fläche, Gabelform) realisiert. Zusätzlich konnten auf der Scheibe eine Vielzahl unterschiedlicher Photolackstrukturen erzeugt werden, um den Einfluss auf der Scheibe vorhandener Lackflächen auf die elektrische Aufladung zu bewerten. Ein Auswerteverfahren basierend auf Leckstrommessungen und der Definition eines Ausbeutekriteriums wurde erarbeitet.