Simulation of proximity printing

Herkömmliche Maskenjustierer bieten eine kostengünstige Alternative zu den teuren Projektionsoptiken in der (Sub-)Mikrometer-Lithographie. In der Massenproduktion wird die einfachere Nahfeldbelichtung für die Herstellung von mikroelektromechanischen bzw. mikro-opto-elektromechanischen Systemen (MEMS bzw. MOEMS) und Flachbildschirmen an-gewendet. Die Nahfeldbelichtung wird auch an Universitäten und Forschungs-zentren häufig verwendet. In dieser Arbeit werden Methoden für die Simulation und Optimierung von Prozessen, die auf der Nahfeldbelichtung basieren, entwickelt und umgesetzt. Der gesamte lithographische Prozessfluss einschließlich Belichtung, Backen (post-exposure bake) und chemischer Entwicklung wird behandelt. Die Modelle berück-sichtigen eine breitbandige und partiell kohärente Belichtung und das Ausbleichen des Photolackes. Die Methoden sind sowohl für zwei- als auch für dreidimensionale Simulationen einsetzbar. Die Arbeit untersucht Techniken zur Verbesserung der Auflösung. Für die Simulation notwendige Lackparameter werden mit Hilfe von Kalibrierung ermittelt. Simulierte und experimentelle Lackprofile werden vergli-chen um die Gültigkeit der umgesetzten Modelle zu bestätigen.