Hans-Georg Unger Reihenfolge der Bücher (Chronologisch)

Hochfrequenztechnik ist ganz allgemein die Technik der schnelien Vor­ gänge. Sie befaßt sich mit den Prinzipien schneller Vorgänge, den be­ sonderen Problemen, die mit ihnen auftreten, der theoretischen und praktischen Lösung dieser Probleme und der Anwendung schneller Vorgän­ ge, um bestimmte Wirkungen zu erzielen oder Funktionen zu erfüllen. Dabei ist schnell natürlich nur ein relativer Begriff, den wir bei Be­ wegungsvorgängen am besten mit der Laufzeit festlegen. Wenn die Lauf­ zeit von Teilen oder Feldern durch eine Anordnung nicht mehr klein ist gegen die Dauer des Vorganges, dann sprechen wir von einem schnellen Vorgang. Wenn beispielsweise die Belichtungszeit bei einer photogra­ phischen Aufnahme so kurz ist, daß sie mit den Zeiten vergleichbar wird, die zum öffnen und Schließen des optischen Verschlusses ver­ streichen, so haben wir es mit einem schnellen Vorgang zu tun. Die Laufzeit für den Verschluß wird hier durch die Massenträgheit der Ver­ schlußteile bestimmt. Auch elektrische Ladungsträger haben eine Massenträgheit und bewegen sich immer nur mit endlicher Geschwindigkeit, die oft noch durch Hin­ dernisse im Laufraum entscheidend begrenzt wird, so beispielsweise für bewegliche Ladungsträger im praktisch unregelmäßigen Gitter eines Festkörperkristalles. Ebenso wandern Felder und Wellen immer nur mit endlicher Geschwindigkeit, und zwar elektromagnetische Felder höch­ stens mit Lichtgeschwindigkeit.

Der vorliegende Band behandelt die wesentlichen physikalischen Mechanismen, die für die Wirkungsweise von Halbleiterbauelementen entscheidend sind, anhand einfacher Beispiele. Vorausgesetzt werden die mathematischen und physikalischen Kenntnisse aus den Grundvorlesungen. Das erste Kapitel über homogen dotierte Halbleiter bietet die notwendigen Grundlagen der Halbleiterphysik. Im Abschnitt über den pn-Übergang werden Gleich- und Wechselstromverhalten, Durchbruchsmechanismen und darauf basierende Bauelemente erläutert. Die Analyse von zwei Übergängen und deren Wechselspiel führt zum Bipolartransistor, wobei neben den Strom-Spannungs-Beziehungen und Grundschaltungen auch Vierpolparameter und HF-Eigenschaften behandelt werden. Weitere Abschnitte widmen sich den physikalischen Vorgängen in Randschichten und der Funktionsweise von Feldeffekttransistoren. Im letzten Kapitel wird das Rauschen thematisiert; hier werden die mathematische Formulierung der Schwankungserscheinungen sowie die Rauschmechanismen und ihr Einfluss auf das elektrische Verhalten der Bauelemente behandelt. Für Anwendungen in elektronischen Schaltungen werden aus dem physikalischen Modell leicht handhabbare Ersatzschaltbilder entwickelt. Übungsaufgaben mit vollständigen Lösungen sind in einem weiteren Band zu finden, um dem Leser die Überprüfung seines Verständnisses zu ermöglichen.